中国工程院院士丁荣军：第三代半导体技术未来十年复合增速将超20%

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上证报记者俞立严摄

上证报中国证券网讯（记者俞立严）6月29日，在浙江瑞安召开的2023国际新能源智能网联汽车创新生态大会上，中国工程院院士丁荣军表示，以碳化硅为代表的第三代半导体技术（包括Si-IGBT与SiC二极管相结合的技术）已经开始获得应用，并具有很大的性能及市场潜力，将在未来十年获得高达年复合20%以上的快速增长。

丁荣军指出，在电动汽车的应用驱动、性价比权衡、消费惯性等因素影响下，未来十年Si-IGBT仍将是功率半导体器件的主流，并将与碳化硅功率器件长期并存。

丁荣军预测，随着硅基材料逐渐逼近其物理极限，功率半导体将朝着更高的禁带宽度、热导率和材料稳定性等方向发展，功率器件技术演进将助力新能源汽车向高性能、充电快、长续航等方向发展。

（文章来源：上海证券报·中国证券网）